Серверная память нового поколения: RDIMM DDR5-8000 и MRDIMM Gen2 со скоростью до 12 800 МТ/с

Intel и AMD активно разрабатывают серверные платформы следующего поколения, а их технологические партнеры параллельно готовят новые компоненты. Помимо материнских плат и серверов для будущих процессоров, производители памяти совместно с Intel и AMD создают более производительные модули DRAM.

На выставке Computex были представлены перспективные RDIMM-модули сразу нескольких производителей. Серверные платформы следующего поколения получат поддержку как более быстрых традиционных RDIMM, так и второго поколения MRDIMM с существенно увеличенной пропускной способностью.

Подробнее о различиях между технологиями, особенностях архитектуры и сценариях применения можно узнать в материале «Обзор типов серверной памяти: RDIMM, DDR5, MRDIMM, CXL».

Скорость DDR5 RDIMM увеличится до 8000 МТ/с

На стендах нескольких участников Computex, включая ASUS, были показаны серверные модули Micron DDR5-8000 RDIMM.

Современные серверные платформы и RDIMM-модули в основном ограничены скоростью DDR5-6400. Поскольку DDR5 продолжит использоваться как минимум еще в одном поколении серверных платформ, производители процессоров и памяти работают над повышением частоты и увеличением пропускной способности каждого канала.

Micron планирует одной из первых выпустить RDIMM-модули DDR5-8000 для будущих серверных платформ. Компания разрабатывает как стандартные модули, так и трехмерно скомпонованные 3DS RDIMM. Это позволит обеспечить скорость 8000 МТ/с даже для модулей емкостью 256 ГБ, построенных на микросхемах плотностью 32 Гбит.

Повышенная скорость должна сочетаться с улучшенной энергоэффективностью. Благодаря использованию технологического процесса Micron 1y производитель рассчитывает сократить энергопотребление в пересчете на переданный бит данных. Этот показатель особенно важен для серверных систем с большим количеством каналов памяти и высокой плотностью вычислений.

MRDIMM Gen2 достигнет скорости 12 800 МТ/с

Для серверных нагрузок, в которых приоритетом является максимальная пропускная способность памяти, разрабатывается второе поколение MRDIMM. Современные модули MRDIMM первого поколения работают на скорости до 8800 МТ/с, тогда как MRDIMM Gen2 должны обеспечить до 12 800 МТ/с. Пропускная способность одного модуля увеличится примерно на 45%.

Базовая архитектура MRDIMM второго поколения останется прежней. На модуле устанавливается несколько рангов микросхем DRAM, а мультиплексоры поочередно обращаются к ним, организуя чередующуюся передачу данных.

MRDIMM первого поколения фактически используют память DDR5-4400, работающую в режиме чередования. В модулях второго поколения аналогичным образом будет применяться DDR5-6400. Поэтому по скорости самих микросхем MRDIMM Gen2 будут уступать традиционным RDIMM DDR5-8000, но за счет параллельной работы рангов обеспечат значительно более высокую итоговую пропускную способность.

Высокая скорость потребует компромисса по емкости

Основными ограничениями MRDIMM остаются стоимость и доступная емкость. Несмотря на вдвое большее количество микросхем памяти по сравнению со стандартным RDIMM, Samsung заявляет для MRDIMM Gen2 максимальную емкость 128 ГБ. Это в два раза меньше, чем у наиболее емких 3DS RDIMM на 256 ГБ.

Таким образом, производителям серверов придется выбирать между максимальной емкостью и пропускной способностью памяти. MRDIMM Gen2 позволяют почти вдвое увеличить скорость обмена данными, но уступают 3DS RDIMM по объему одного модуля.

До 1,6 ТБ/с на процессорах AMD EPYC Venice

Ожидается, что первыми поддержку MRDIMM Gen2 могут получить процессоры AMD EPYC следующего поколения с кодовым названием Venice, выход которых запланирован на вторую половину 2026 года. Однако официального подтверждения совместимости пока нет.

Если платформа получит 16 каналов памяти и поддержку заявленной Samsung скорости 12 800 МТ/с, совокупная пропускная способность памяти одного процессора сможет достигать примерно 1,6 ТБ/с.

Для сравнения, AMD EPYC 9005 располагает 12 каналами DDR5-6400, обеспечивающими около 0,6 ТБ/с. Переход на 16 каналов и MRDIMM второго поколения способен увеличить совокупную пропускную способность памяти более чем в 2,5 раза.

Пропускная способность памяти становится ключевым параметром

Скорость памяти продолжает расти, поскольку именно пропускная способность все чаще ограничивает производительность современных вычислительных систем. С увеличением числа ядер серверные процессоры требуют более быстрого доступа к данным, особенно в задачах искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений, аналитики и обработки больших баз данных.

Платформа AMD EPYC Venice должна получить 16 каналов памяти уже в 2026 году. Аналогичная конфигурация ожидается у процессоров Intel Xeon Diamond Rapids, выпуск которых запланирован на 2027 год. Ранее предполагалось создание версии с восемью каналами, однако Intel отказалась от нее.

Дополнительные каналы обеспечат часть прироста пропускной способности. Остальное увеличение будет достигнуто за счет более быстрых RDIMM DDR5-8000 и MRDIMM Gen2. В результате заказчики смогут выбирать между системами с максимальной емкостью памяти и платформами, оптимизированными для наиболее требовательных к пропускной способности нагрузок.